〇    支持Si、SiC、GaN、金刚石等高压半导体测试领域

〇    真空度： < 1E-4Torr

〇    耐压：10 kV

〇    高电流：>1200A

〇    控温范围：-55ºC ~ 300ºC（支持定制更宽范围）

〇    高真空低形变腔体设计

〇    可选配高电压、高电流探针

〇    可选配端到端测试解决方案服务

〇    支持手动、半自动、全自动开发