雪崩二极管系列芯片
2.5G 背照 APD
- 低倍增噪音
- 高倍增响应
- 180 µm的大光学孔径
- 可提供窄带滤光
- 适用于激光测距仪
- 适用于对人眼安全的扫描 LiDAR
5G 正照APD
- 实现了灵敏度高达-35 dBm的光接收机
- 50 GHz 的高增益带宽积
- 27 V 的低工作偏压
- 专为打线接合而优化的大焊盘
- 适用于5G GPON
带镜头的 10G 背照APD
- APD 背部自带集成镜头，易于光耦合
- 刷新纪录的灵敏度: -35 dBm (@ BER 1e-3)
- 提供芯片或带衬底的芯片(Chip-on-Submount)
- 可定制衬底
- 适用于10G PON
10G 正照APD
- 实现了灵敏度高达-29 dBm的光接收机
- 90 GHz 的高增益带宽积
- 29 V 的低工作偏压
- 小芯片尺寸: 280 x 270 µm2
- 可提供通道间距为 250 µm 的 4x10G APD 阵列
- 适用于10G PON
带镜头的 28G 背照APD
- APD 背部自带集成镜头，易于光耦合
- 实现了高灵敏度的 28G 光接收机
- 高达+5 dBm 的光损伤阈值
- 提供芯片或带衬底的芯片(Chip-on-Submount)
- 可定制衬底
- 适用于 28 Gbaud PAM-4
- 适用于 100GBASE-ER4
- 适用于 25G EPON
28G 正照APD
- 实现了高灵敏度的 28G 光接收机
- 高达+5 dBm 的光损伤阈值
- 大动态范围
- 为 TO-can 组装而优化的小芯片尺寸
- 适用于 28 Gbaud PAM-4
- 适用于 100GBASE-ER4
- 适用于 25G EPON
